StartUp_(주)터넬

AI SoC의 scaling을 위한 차세대 저전력 메모리 반도체 IP 제공 및 설계 엔지니어링 서비스

저전력 고용량 on-chip Cache memory를 구현할 수 있는 T-SRAM IP를 AI 가속기를 비롯한 다양한 연산용 processor를 설계하는 fabless 고객에게 제공함. 또한, 이와 관련된 설계 및 엔지니어링 서비스를 제공함. SRAM을 기반으로 한 CIM, CAM과 같은 specialty memory의 IP 및 엔지니어링 서비스 제공함.

IT AI VR/AR/ER Blockchain Smart Home / IoT ICT 제조 모빌리티 Robotics 반도체 첨단센서 모빌리티 전기·전자 차세대 반도체 AI칩 차세대 메모리

(주)터넬

Round 참가 횟수

2회 참여

Ternary-SRAM & UniBrainTM

(Ulimate neuromorphic intelligent Brain computer)

범용 SoC의 캐시 메모리 전력, 성능, 면적효율 개선을 위한 새로운 온칩(SoC) 메모리 솔루션 기업

Matching Analysis

3진법 (다진법) 반도체

기존 2진법 반도체의 소모전력을 혁신적으로 줄일 수 있는 다진법(다치로직, multi-value login) 반도체 기술

인간의 뇌를 모방하는 인공지능 기술에서 뇌 연결의 가중치를 3진법 체계로 모델링하여 시스템 복잡도를 줄이는 방향으로 유망

Matching Analysis

T-SRAM (응용회로) / UniBrainTM (모듈칩) 개발

세계최초 상용 CMOS 반도체 공정라인을 이용한 양산 가능성 및 3진법 기반 회로 검증을 통해 T-SRAM, T-CIM (Compute-in-Memory) 모듈 개발 수행하였으며, 최근, 상용 28nm 파운드리에서 T-SRAM L1/L2 Macro IP를 성공적으로 개발 완료하였음. 특히, 28nm 뿐만 아니라 on-chip SRAM density 한계가 명확한 14nm 이하 3nm에서도 50%이상 density 개선 (-33% 면적 감소)이 가능하며, 미래지능형 및 시스템 반도체 시장 개척을 위한 AI 프로세서 UniBrain(TM) 사업화 진행.

Matching Analysis

미래반도체의 표준기술 Ternell Corp.

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투자 정보

희망 투자 유치 금액

총투자유치

투자단계

Angel
Seed
Series A
Series B
Series C~E
IPO/M&A

IR 정보

Round 참가 횟수

2회 참여

해당 기업의 요청에 따라 본계정의
권한으로는 서비스를 이용하실 수 없습니다.

AI SoC scaling을 위한 차세대 저전력 메모리 반도체 IP 개발사

(주)터넬은 AI 연산을 위한 SoC의 전력 소비 및 메모리 병목현상을 해결하기 위한 차세대 저전력 메모리 반도체 기술을 개발하는 회사입니다. 특히 고속 cache memory로 사용되는 SRAM의 소비전력과 면적 이슈를 해결하기 위해 양자터널링과 3진법 기술을 적용한 T-SRAM을 개발하였습니다. 이를 통해 기존 SRAM이 SoC 내에 차지하는 면적과 소비전력을 50% 이상 절감하면서도 기존 2진법 반도체 아키텍처와 완벽하게 호환되는 SRAM 구현 기술을 국내외 AI 반도체 설계 기업들에게 제공하고자 합니다. 또한, T-SRAM IP를 바탕으로 뉴로모픽 반도체인 T-CIM과 고속 네트워크용 특수 메모리인 T-CAM 개발을 통해 제품 영역을 확장하고 있습니다.