StartUp_(주)제이피오토메이션

8" Wafer 8매 Loading이 가능한 저온Radical Assisted Hybrid PVD for SiC Epitaxy

기존 MOCVD 방식의 SiC Epitaxy 장비는 공정 온도가 1,650도 이며, 폭발성 가스 사용 당사 Hybrid PVD는 공정 온도가 800도 이하 이며 고체 타겟 및 Ar, N2등의 가스 사용으로 기존 MOCVD 대비 CapEx 50% 절감 및 OpEx 60%이상 절감 가능 또한 동일 장비에서 SiC, GaN, AlN 동시 생산 가능

AI 장비 에너지 에너지효율향상 스마트직류배전

(주)제이피오토메이션

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메모리 반도체 장비 및 전력 반도체 장비 제조 업체

2009년 10월 19일 법인 등록 DLC 장비 개발 및 양산 장비 판매 - AMAT MCA dimple repair용 PECVD 부품 - ALU 자체 특허 등록 및 제품 개발 전력반도체 장비 - Radical Assisted Hybrid PVD for SiC Epi 장비 개발 (현 GITCC 과제 진행 중)